Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 2666MHZ 260 PIN SODIMM 12V CL 19 módulo de memoria RAM para portátil

Descripción
M471A2K43CB1-CTD Factor de forma 260 pines SODIMM Capacidad total: 8 GB. Garantía limitada de por vida. Especificaciones DDR4 PC4-21300, CL=19, sin búfer, no ECC, DDR4-2666, 1,2 V. Serie Samsung. Velocidad 2666 MHz. Voltaje: 1,2 V. Tipo DIMM sin búfer. Componente para portátiles y PC todo en uno. Samsung DDR4 SODIMMs Product Highlights Velocidades de arranque a 2133 MT/s. Aumenta el ancho de banda hasta un 30%. Reduce el consumo de energía hasta un 40% y alarga la vida útil de la batería. Velocidad de ráfaga de acceso más rápida para una mejor transferencia secuencial de datos. Optimizado para procesadores y plataformas de próxima generación Disponible en módulos de hasta 8 GB y kits de hasta 32 GB. Garantía limitada de por vida.
Características
Capacidad total: 8 GB. Factor de forma: 260 pines SODIMM. Especificaciones: DDR4 PC4-21300, CL=19, sin búfer, no ECC, DDR4-2666, 1,2 V. Velocidad: 2666 MHz. Garantía de por vida.
El número de Modelo (ItemModelNumber)
M471A2K43CB1-CTD
Peso
0.32 onzas
Dimensiones
3.27 x 1.81 x 0.35 pulgadas
Fabricante es Samsung
Destacados
Capacidad total: 8 GB., Factor de forma: 260 pines SODIMM., Especificaciones: DDR4 PC4-21300, CL=19, sin búfer, no ECC, DDR4-2666, 1,2 V., Velocidad: 2666 MHz., Garantía de por vida.
La calificación que le dan a Samsung 8GB DDR4 PC4-21300 2666MHZ 260 PIN SODIMM 12V CL 19 módulo de memoria RAM para portátil, 948 usuarios es de 4.7 sobre 5 estrellas.